PDTC114ES,126
NXP Semiconductors / Freescale
Deutsch
Artikelnummer: | PDTC114ES,126 |
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Hersteller / Marke: | Freescale / NXP Semiconductors |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Leistung - max | 500mW |
Verpackung | Tape & Box (TB) |
Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Andere Namen | 934047440126 PDTC114ES AMO PDTC114ES AMO-ND |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | PDTC114 |
PDTC114ES,126 Einzelheiten PDF [English] | PDTC114ES,126 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() PDTC114ES,126NXP Semiconductors / Freescale |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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